MOSFET Apparat Auswiel fir all Aspekter vu Faktoren ze berücksichtegen, vu klenge fir N-Typ oder P-Typ ze wielen, Package Typ, grouss bis MOSFET Spannung, On-Resistenz, etc., verschidden Uwendungsfuerderunge variéieren.De folgenden Artikel resüméiert d'MOSFET Apparat Auswiel vun den 3 Haaptregelen, ech gleewen datt Dir no der Liesung vill hutt.
1. Power MOSFET Auswiel Schrëtt eent: P-Tube, oder N-Tube?
Et ginn zwou Zorte vu Kraaft MOSFETs: N-Kanal a P-Kanal, am Prozess vum Systemdesign fir den N-Tube oder P-Tube ze wielen, op déi aktuell Applikatioun spezifesch ze wielen, N-Kanal MOSFETs fir de Modell ze wielen, Käschtegënschteg;P-Kanal MOSFETs fir de Modell manner, héich Käschten ze wielen.
Wann d'Spannung op der S-Polverbindung vun der Muecht MOSFET net de Referenzgrond vum System ass, erfuerdert den N-Kanal e schwiewend Buedem Energieversuergung Drive, Transformator Drive oder Bootstrap Drive, Drive Circuit Komplex;P-Kanal kann direkt ugedriwwe ginn, fueren einfach.
Muss d'N-Kanal a P-Kanal Uwendungen berücksichtegen haaptsächlech
a.Notebook Computeren, Desktops a Servere benotzt fir d'CPU an de System Kühlventilator ze ginn, Dréckerfütterung System Motor Drive, Staubsauger, Loftreiniger, elektresch Fans an aner Hausgeräter Motor Kontroll Circuit, dës Systemer benotzen voll Bréck Circuit Struktur, all Bréck Aarm op der Rouer kann P-Tube benotzen, kann och N-Tube benotzen.
b.Kommunikatioun System 48V Input System vun waarm-Plug MOSFETs um héich Enn gesat, Dir kënnt P-Réier benotzen, Dir kënnt och N-Réier benotzen.
c.Notebook Computer Input Circuit an Serie, spillt d'Roll vun Anti-Réckverbindung a Laascht schalt zwee zréck-ze-zeréck Muecht MOSFETs, d'Benotzung vun N-Kanal brauchen den Chip intern integréiert Fuert charge Pompel ze kontrolléieren, d'Benotzung vun P-Kanal kann direkt ugedriwwe ginn.
2. Auswiel vun Package Typ
Power MOSFET-Kanaltyp fir den zweete Schrëtt ze bestëmmen fir de Package ze bestëmmen, Packageauswielprinzipien sinn.
a.Temperaturerhéijung an thermesch Design sinn déi elementarste Viraussetzunge fir de Package ze wielen
Verschidde Packagegréissten hunn ënnerschiddlech thermesch Resistenz a Kraaftvergëftung, zousätzlech fir d'thermesch Bedéngungen vum System an d'Ëmfeldstemperatur ze berücksichtegen, sou wéi ob et Loftkühlen ass, d'Hëtzt ënnerzegoen Form a Gréisst Restriktiounen, ob d'Ëmwelt zou ass an aner Faktoren, de Basisprinzip ass d'Temperaturerhéijung vun der Kraaft MOSFET a Systemeffizienz ze garantéieren, d'Viraussetzung fir Parameteren auswielen a méi allgemeng Kraaft MOSFET packen.
Heiansdo wéinst anere Bedéngungen, ass d'Noutwendegkeet Multiple MOSFETs parallel ze benotzen fir de Problem vun der Wärmevergëftung ze léisen, sou wéi an PFC Uwendungen, Elektroauto Motorcontroller, Kommunikatiounssystemer, wéi d'Modul Energieversuergung sekundär Synchron-Rectifizéierungsapplikatiounen, ausgewielt an parallel mat multiple Réier.
Wann Multi-Tube Parallelverbindung kann net benotzt ginn, Nieft engem auswielen Muecht MOSFET mat besser Leeschtung, Zousätzlech, eng méi grouss Gréisst Pak oder eng nei Zort Pak benotzt ginn, Zum Beispill, an e puer AC / DC Muecht Ëmgeréits TO220 wäert geännert ginn op TO247 Package;an e puer Kommunikatioun System Muecht Ëmgeréits, déi nei DFN8 * 8 Pak benotzt.
b.Gréisst Limitatioun vum System
Verschidde elektronesch Systemer sinn limitéiert duerch d'Gréisst vum PCB an d'Héicht vum Interieur, wéi zum Beispill de Modul Stroumversuergung vu Kommunikatiounssystemer wéinst der Héicht vun de Restriktiounen normalerweis DFN5 * 6, DFN3 * 3 Package;an e puer ACDC Energieversuergung, d'Benotzung vun ultra-dënn Design oder wéinst der Aschränkungen vun der Réibau, Assemblée TO220 Pak Muecht MOSFET Pins direkt an der Wuerzel, kann d'Héicht vun de Restriktiounen net TO247 Pak benotzen.
E puer ultra-dënnen Design béien direkt den Apparat Pins flaach, dësen Design Produktiounsprozess wäert komplex ginn.
Am Design vun enger grousser Kapazitéit Lithium Batterie Schutz Verwaltungsrot, wéinst der extrem haart Gréisst Restriktiounen, benotzen déi meescht elo Chip-Niveau CSP Package fir thermesch Leeschtung esou vill wéi méiglech ze verbesseren, iwwerdeems déi klengst Gréisst assuréieren.
c.Käschte Kontroll
Fréi vill elektronesch Systemer Plug-in Package benotzt, dës Joer wéinst erhéicht Aarbechtskäschte, vill Firmen ugefaang op SMD Package ze wiesselen ugefaangen, obwuel d'Schweißkäschte vun SMD wéi Plug-in héich, mä den héije Grad vun Automatisatioun vun SMD Schweess, der Gesamtkäschte kënnen nach ëmmer an engem raisonnabele Beräich kontrolléiert ginn.A verschiddenen Uwendungen wéi Desktop Motherboards a Boards déi extrem Käschteempfindlech sinn, ginn d'Muecht MOSFETs an DPAK Packagen normalerweis benotzt wéinst de niddrege Käschte vun dësem Package.
Dofir, an der Auswiel vun Muecht MOSFET Package, hir eege Firma Stil a Produit Fonctiounen ze kombinéieren, Rechnung huelen der uewen Faktoren.
3. Wielt der op-Staat Resistenz RDSON, Note: net aktuell
Vill Mol sinn d'Ingenieure besuergt iwwer RDSON, well RDSON a Konduktiounsverloscht direkt verbonne sinn, wat méi kleng ass den RDSON, dest méi kleng ass de MOSFET-Leedungsverloscht, wat méi héich d'Effizienz ass, wat d'Temperaturerhéijung méi niddereg ass.
Ähnlech wéi d'Ingenieuren esou wäit wéi méiglech fir de fréiere Projet oder déi existent Komponenten an der Materialbibliothéik ze verfollegen, fir de RDSON vun der realer Selektiounsmethod net vill ze berücksichtegen.Wann d'Temperaturerhéijung vun der gewielter Kraaft MOSFET ze niddreg ass, aus Käschtegrënn, wiesselt op RDSON gréisser Komponenten;Wann d'Temperaturerhéijung vum Stroum MOSFET ze héich ass, ass d'Effizienz vum System niddereg, wiesselt op RDSON méi kleng Komponenten, oder andeems den externen Drive Circuit optiméiert, de Wee verbessert fir d'Wärmevergëftung unzepassen, etc.
Wann et e fuschneie Projet ass, gëtt et kee fréiere Projet fir ze verfollegen, wéi kënnt Dir d'Muecht MOSFET RDSON auswielen? Hei ass eng Method fir Iech virzestellen: Energieverbrauchsverdeelungsmethod.
Wann Dir e Stroumversuergungssystem designt, sinn déi bekannte Bedéngungen: Input Spannungsbereich, Ausgangsspannung / Ausgangsstroum, Effizienz, Operatiounsfrequenz, Fuertspannung, natierlech ginn et aner technesch Indikatoren a Kraaft MOSFETs déi haaptsächlech mat dëse Parameteren verbonne sinn.Schrëtt sinn wéi follegt.
a.Geméiss dem Input Spannungsbereich, Ausgangsspannung / Ausgangsstroum, Effizienz, berechent de maximale Verloscht vum System.
b.Power Circuit spurious Verloschter, Net-Muecht Circuit Komponente statesch Verloschter, IC statesch Verloschter an fueren Verloschter, fir eng rau Estimatioun ze maachen, kann den empiresche Wäert fir 10% bis 15% vun der total Verloschter Kont.
Wann de Stroumschaltung e Stroumprobewidderstand huet, berechent de Stroumverbrauch vum aktuellen Samplingsresistor.Total Verloscht minus dëse Verloschter uewen, de Rescht Deel ass de Muecht Apparat, Transformator oder inductor Muecht Verloscht.
Déi reschtlech Kraaftverloscht gëtt dem Stroumapparat an den Transformator oder Induktor an engem gewëssen Undeel zougewisen, a wann Dir net sécher sidd, d'Duerchschnëttsverdeelung duerch d'Zuel vun de Komponenten, sou datt Dir de Stroumverloscht vun all MOSFET kritt.
c.De Kraaftverloscht vum MOSFET gëtt dem Schaltverloscht a Leedungsverloscht an engem gewëssen Undeel zougewisen, a wann et onsécher ass, ginn de Schaltverloscht an de Leedungsverloscht gläich verdeelt.
d.Duerch de MOSFET-Leedungsverloscht an de RMS Stroum fléissend, berechent déi maximal zulässlech Leedungsresistenz, dës Resistenz ass de MOSFET bei der maximaler Operatiounskräiztemperatur RDSON.
Dateblatt an der Kraaft MOSFET RDSON markéiert mat engem definéierte Testbedingunge, a verschiddene definéierte Bedéngungen hu verschidde Wäerter, d'Testtemperatur: TJ = 25 ℃, RDSON huet e positiven Temperaturkoeffizient, also no der héchster Operatiounskräiztemperatur vum MOSFET an RDSON Temperatur Koeffizient, vum uewe genannte RDSON berechent Wäert, fir de entspriechende RDSON bei 25 ℃ Temperatur ze kréien.
e.RDSON vun 25 ℃ fir déi entspriechend Aart vu Kraaft MOSFET ze wielen, no den aktuellen Parameteren vum MOSFET RDSON, erof oder erop Trim.
Duerch déi uewe genannte Schrëtt, déi virleefeg Auswiel vum Power MOSFET Modell an RDSON Parameteren.
Dësen Artikel ass aus dem Netz erausgeholl, kontaktéiert eis w.e.g. fir d'Verletzung ze läschen, merci!
Zhejiang NeoDen Technology Co., Ltd., huet zënter 2010 verschidde kleng Pick- a Plazmaschinne produzéiert an exportéiert. Profitéiert vun eisen eegene räiche erfuerene R&D, gutt trainéiert Produktioun, NeoDen gewënnt grousse Ruff vun de weltwäite Clienten.
Mat weltwäiter Präsenz an iwwer 130 Länner, déi exzellent Leeschtung, héich Genauegkeet an Zouverlässegkeet vun NeoDen PNP Maschinnen maachen se perfekt fir R&D, professionell Prototyping a kleng bis mëttel Batchproduktioun.Mir bidden eng professionell Léisung vun engem Stop SMT Ausrüstung.
Add: No.18, Tianzihu Avenue, Tianzihu Town, Anji County, Huzhou City, Zhejiang Province, China
Telefon: 86-571-26266266
Post Zäit: Apr-19-2022