Power Semiconductor Driver Circuit ass eng wichteg Ënnerkategorie vun integréierte Circuiten, mächteg, benotzt fir IGBT Driver ICs zousätzlech fir Driveniveau a Stroum ze liwweren, dacks mat Drive Schutzfunktiounen, dorënner Desaturatioun Kuerzschlussschutz, Ënnerspannungsausschaltung, Miller Clamp, Zweestufs Shutdown , Soft Shutdown, SRC (Slew Rate Control), etc.. D'Produkter hunn och verschidden Niveauen vun der Isolatiounsleeschtung.Wéi och ëmmer, als integréierte Circuit, bestëmmt säi Package de maximalen Energieverbrauch, de Chauffer IC Ausgangsstroum kann an e puer Fäll méi wéi 10A sinn, awer nach ëmmer net de Fuerebedürfnisser vun héije Stroum IGBT Moduler entspriechen, dëst Pabeier wäert d'IGBT Fueren diskutéieren aktuell an aktuell Expansioun.
Wéi de Chauffer aktuell erweidert
Wann de Drive Stroum muss erhéicht ginn, oder wann Dir IGBTs mat héije Stroum a grousser Paartkapazitéit fuert, ass et néideg fir de Stroum fir de Chauffer IC auszebauen.
Mat bipolare Transistoren
De typeschsten Design vum IGBT Gate Driver ass déi aktuell Expansioun ze realiséieren andeems Dir komplementär Emitter Follower benotzt.Den Ausgangsstroum vum Emitter Follower Transistor gëtt festgeluegt duerch den DC Gewënn vum Transistor hFE oder β an dem Basisstroum IB, wann de Stroum, deen néideg ass fir IGBT ze fueren, méi grouss ass wéi IB*β, da geet den Transistor an d'linear Aarbechtsberäich an d'Output. Fuertstroum ass net genuch, da gëtt d'Laden an d'Entladungsgeschwindegkeet vum IGBT Kondensator méi lues ginn an d'IGBT Verloschter eropgoen.
Benotzt MOSFETs
MOSFETs kënnen och fir aktuell Expansioun vum Chauffer benotzt ginn, de Circuit besteet allgemeng aus PMOS + NMOS, awer de Logikniveau vun der Circuitstruktur ass de Géigendeel vum Transistor Push-Pull.Den Design vun der ieweschter Rouer PMOS Quell ass mat der positiver Energieversuergung verbonnen, de Paart ass méi niddereg wéi d'Quell vun enger bestëmmter Spannung PMOS op, an de Chauffer IC Output ass allgemeng op héijem Niveau ageschalt, sou datt d'Benotzung vun der PMOS + NMOS Struktur kann en Inverter am Design erfuerderen.
Mat bipolare Transistoren oder MOSFETs?
(1) Effizienz Differenzen, normalerweis an High-Power Uwendungen, ass d'Schaltfrequenz net ganz héich, sou datt de Leedungsverloscht den Haapt ass, wann den Transistor de Virdeel huet.Vill aktuell héich Kraaftdicht Designen, sou wéi elektresch Gefierer Motorfuerer, wou d'Hëtztvergëftung schwéier ass an d'Temperaturen héich sinn am zouene Fall, wann d'Effizienz ganz wichteg ass an d'Transistorkreesser kënne gewielt ginn.
(2) D'Output vun der bipolare Transistorléisung huet e Spannungsfall verursaacht duerch VCE(sat), d'Versuergungsspannung muss erhéicht ginn fir den Drive Tube VCE(sat) ze kompenséieren fir eng Fuertspannung vu 15V z'erreechen, während d'MOSFET Léisung ka bal eng Schinn-zu-Schinne-Ausgang erreechen.
(3) MOSFET widderstoen Spannung, VGS nëmmen iwwer 20V, wat e Problem kann, datt Opmierksamkeet brauch wann positiv an negativ Muecht Ëmgeréits benotzt.
(4) MOSFETs hunn en negativen Temperaturkoeffizient vu Rds (on), wärend bipolare Transistoren e positiven Temperaturkoeffizient hunn, a MOSFETs hunn en thermesche Fluchproblem wann se parallel verbonne sinn.
(5) Wann Dir Si / SiC MOSFETs dreift, ass d'Schaltgeschwindegkeet vu bipolare Transistoren normalerweis méi lues wéi déi dreiwend Objekt MOSFETs, déi als MOSFETs benotze solle fir de Stroum ze verlängeren.
(6) D'Robustheet vun der Inputstadium op ESD a Spannungsspannung, bipolare Transistor PN Kräizung huet e wesentleche Virdeel am Verglach zum MOS Gateoxid.
Bipolare Transistoren a MOSFET Charakteristiken sinn net déiselwecht, wat ze benotzen oder Dir musst selwer entscheeden am Aklang mat de Systemdesignfuerderunge.
Quick Fakten iwwer NeoDen
① Etabléiert an 2010, 200+ Mataarbechter, 8000+ Sq.m.Fabréck.
② NeoDen Produkter: Smart Serie PNP Maschinn, NeoDen K1830, NeoDen4, NeoDen3V, NeoDen7, NeoDen6, TM220A, TM240A, TM245P, Reflow Uewen IN6, IN12, Solder Paste Printer FP2040, PM3040.
③ Erfollegräich 10000+ Clienten op der ganzer Welt.
④ 30+ Global Agenten ofgedeckt an Asien, Europa, Amerika, Ozeanien an Afrika.
⑤ R&D Center: 3 R&D Departementer mat 25+ professionnelle R&D Ingenieuren.
⑥ Opgezielt mat CE a krut 50+ Patenter.
⑦ 30+ Qualitéitskontroll an technesch Ënnerstëtzung Ingenieuren, 15+ Senior international Ofsaz, fristgerecht Client reagéiert bannent 8 Stonnen, professionell Léisungen déi bannent 24 Stonnen.
Post Zäit: Mee-17-2022